Canon EOS M3: беззеркальная фотокамера c возможностями зеркальных фотоаппаратов
Недавно компания LG представила G Flex 2 с памятью DDR4, а вслед за конкурентом запуск новой технологии планирует Samsung. Ранее компания SK Hynix заявила, что память DDR4 увеличит в два раза пропускную способность по сравнению с DDR3, при этом сократив энергопотребление. Hynix — производитель 2-ГБ модуля оперативной памяти LPDDR4 с пропускной способностью 8 Гбит, который вместе со Snapdragon 810 SoC обеспечивает работу G Flex 2. Гибкий смартфон был представлен на международной выставке CES 2015 в Лас-Вегасе. Кстати, LG G Flex 2 стал первым смартфоном с DDR4.
Теперь и Samsung порадовала приятными новостями: уже в этом году новые флагманы компании будут выпускаться с быстрой и экономичной технологией DDR4, начиная с Galaxy S6, где будет установлен блок оперативной памяти объёмом 3 ГБ. Более того, ожидается, что уже к концу года появятся модели с 4 ГБ DDR4, а в следующем году 36% премиальных новинок крупных компаний получат 4 ГБ оперативной памяти.
About the author
Похожие записи
